半導體凈化車間設計裝修平面布局圖

  一、工程概括
半導體凈化車間設計范圍包括:裝修方案(圍護、地面防水保溫處理),暖通方案(空調設備、風管、水管等),特氣供應方案(特氣柜含保險控制、房間氣體檢測、EP級管道及BA及管道。供應氣管尾氣處理),壓縮空氣方案,廢氣處理方案(儀器設備POU處理、房間排風廢氣處理)電氣方案(空調設備動力配電等),弱點工程,集成控制智能平臺,純水方案(冷卻水、去離子水、超純水、水管等),廢氣處理。

半導體凈化車間設計裝修

二、結構圍護工程
墻板及吊頂:本工程隔墻采用企業(yè)口型機制玻鎂巖棉夾芯板0.426,玻鎂巖棉彩鋼板符合潔凈廠房二級消防要求,玻鎂巖棉彩鋼夾芯板具有1000℃的耐火性能,耐火等級達到A級。巖棉密度:≥100kg/m3;導熱系數:≤0.046w/m.k;燃燒性能:A級(不燃)。耐火極限為30-120分鐘。廣泛應用于食品、電子、醫(yī)藥、飲料、生物研究等行業(yè)。
地板:本宮車間內地面采用防靜電型PVC地板,其中千級和百級車間采用防靜電型加高鋼板,其它為普通型PVC地板。PVC地板是當今世界上非常流行的一種新型輕體地面裝飾材料,也稱為“輕體地材”使用非常廣泛。
三、暖通工程
設備:空調制冷負荷:經統(tǒng)計計算,總冷負荷約500kw。采用恒溫恒濕潔凈空調,夏季采用磁懸浮水冷機組,冬季采用廠區(qū)鍋爐熱水供熱。
風管:風管采用共板法蘭風管。
水管:空調水管采用無縫鋼管。水泵采用星 三角降壓啟動。
四、特種氣體工程
工藝氣體種類多,純度高,并且易燃易爆有毒。安全問題突出,為保證系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定可靠,建議采用進口成熟產品。
英文mocvd生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質,并且要生長多組分,大面積,薄層和超薄層異質材料,因此在mocvd系統(tǒng)的設計思想上,通常要考慮系統(tǒng)密封性要好,流量、溫度控制要精確,組分變換要迅速,系統(tǒng)要緊湊等。核心工作是氣體輸運系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)。
五、空壓機工程
螺桿式空壓機組主要有以下系統(tǒng)組成:空氣流程系統(tǒng),潤滑油流程系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、安全保護系統(tǒng)、控制系統(tǒng)及電氣線路。螺桿式空壓機組要壓縮機、電動機、空氣濾清器、進氣閥、油氣桶、空氣冷卻器、潤滑油冷卻器壓力開關、單向閥、儲氣罐、壓力表、自動排水器、安全閥等設備部件。另外在空壓機系統(tǒng)中大多配置冷干機和空氣干燥器。
六。廢氣工程
由于半導體工藝對操作是清潔要求極高,通常使用風機抽取工藝過程中揮發(fā)的各類廢氣,因此半導體行業(yè)廢氣排放有排氣量大、排放濃度小的特點。廢氣排放也以揮發(fā)為主。表中給出了不同生產工藝排放的廢氣組成。這些廢氣排放主要可以分為四類:酸性氣體、堿性氣體、有機廢氣和有毒氣體。

生產廢氣排放源及組成表

對酸性氣體、堿性氣體的處理一般采用濕式洗滌塔技術。
對于有機廢氣采用吸附、焚燒或兩者相結合的處理方法。因為半導體工藝工程中有機廢氣具有排放流量大(通常大于11039m3/小時)和濃度低(通常小于25ppmv)的特點,使用其他的處理技術難以達到令人滿意的處理效率。沸石濃度縮轉輪后再吸附或焚燒。

七、電氣工程
空調動力電工程;統(tǒng)計總用量電量約830kw,空調用電約330kw。
動力(鍍鋅線槽)沿墻體及天花敷設,再分支車間及設備電箱,安裝在樓板下。主電纜采用YJV型號。
八、弱點系統(tǒng)工程
1、高清視頻監(jiān)控 系統(tǒng)采用1200w網絡監(jiān)控攝像機,通過千兆交換組網在機房中心進行集中存儲,系統(tǒng)設計7*24小時間斷運行,實現1080p存儲1個月以上,管理人員可通過電腦進行監(jiān)控查看,錄像回放等操作。
2、門禁管理系統(tǒng) 門禁系統(tǒng)已成為安防系統(tǒng)極其重要的組成部分,門禁系統(tǒng)將監(jiān)控被動防范的方式進行了主動防范補充。通過網絡一體式門禁管理機,配合門禁專用電源。電磁鎖可將主要出入口設置為授權式管理,避免了與車架無關人員的頻繁出入。
九、只能平臺
潔凈系統(tǒng)中的風量控制采用文丘李閥門,實時監(jiān)控流量計狀態(tài),可在先診斷。并可以維持房間壓力、溫度、濕度的平穩(wěn)可靠。中控室中把空調、特氣、純水、監(jiān)控、房間溫濕度等參數集成管理、顯示、儲存,并對數據進行打印輸出及溯源查找。并經設備輸出在參觀通道播放,方便參觀。
十、純水工程
1、設備產水能力:
2、RO系統(tǒng):一級RO反滲透產水量≥8m3/h(水溫保證在25℃時);
二級RO反滲透產水量≥6m3/h(水溫保證在25℃時);
3、EDI系統(tǒng):EDI產量水量≥5m3/h(水溫在25℃時)
4、終端拋光混床產水能力為:≥5m3/h(水溫保證在25℃時)
5、設備產水水質指標:
終端拋光混床產水能力為:≥18.00MΩ.com(水溫保證在25℃時,測點在拋光混床出口3米內,95%時間)
其他技術指標參照我國的電子級水電技術指標(GB11446.1-1977)EW-1

由于設備用水的級別各不相同,可以在本設計流程中的某段引出合適的使用點即可。對于超純水必須采用UPVC材質(因金屬管道會析出離子),特別對于園晶的生產,超純水會對額定的離子限值嚴格,所以采用進口的UPVC純水管道對產品質量有保證。
十一。廢氣處理工程

半導體制造及封裝測試的各個工藝步驟都有大量的廢水產生,主要以酸堿廢水、含氟廢水、有機廢水為主。

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